Samsung 9100 PRO SSD 8TB PCIe 5.0 14800 MB-s

Marca
- SAMSUNG
Características
- Tipo de memoria: Samsung V-NAND TLC|Memoria caché: Samsung 8 GB DDR4X SDRAM|Encriptación: AES 256-bit Encryption (Class 0) TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)|Resistencia a los golpes: 1500G|Dimens...
Interfaz
- PCIe Gen 5.0 x4 NVMe 2.0
Capacidad
- -8 TB
Rendimiento
- Lectura secuencial: hasta 14.800 MB/s|Escritura secuencial: hasta 13.400 MB/s|Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 2.200.000 IOPS|Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 2.600.000 IOPS
Tamaño
- M.2 (2280)

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Marca	Samsung
Modelo	MZ-VAP8T0BW
Capacidad	- 8 TB
Interfaz	- PCIe Gen 5.0 x4 NVMe 2.0
Tamaño	- M.2 (2280)
Rendimiento	- Lectura secuencial: hasta 14.800 MB/s \| - Escritura secuencial: hasta 13.400 MB/s \| - Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 2.200.000 IOPS \| - Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 2.600.000 IOPS
Características	- Tipo de memoria: Samsung V-NAND TLC \| - Memoria caché: Samsung 8 GB DDR4X SDRAM \| - Encriptación: AES 256-bit Encryption (Class 0) TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive) \| - Resistencia a los golpes: 1500G \| Dimensiones y peso \| - 80,15 x 22.15 x 3,88 mm \| - 9,5 g

Marca	SAMSUNG
Características	Tipo de memoria: Samsung V-NAND TLC\|Memoria caché: Samsung 8 GB DDR4X SDRAM\|Encriptación: AES 256-bit Encryption (Class 0) TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)\|Resistencia a los golpes: 1500G\|Dimens...
Interfaz	PCIe Gen 5.0 x4 NVMe 2.0
Capacidad	-8 TB
Rendimiento	Lectura secuencial: hasta 14.800 MB/s\|Escritura secuencial: hasta 13.400 MB/s\|Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 2.200.000 IOPS\|Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 2.600.000 IOPS
Tamaño	M.2 (2280)